CSD87384MT

功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

制造商:texas instruments

系列:NexFET??

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

FET 类型:2 个 N 通道(半桥)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 25A,8V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):9.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 15V

功率 - 最大值:8W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:5-LGA

供应商器件封装:5-PTAB(5x3.5)

标准包装:1

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